ПРИЛОЖЕНИЯ. Погрешность базирования заготовок

## ПРИЛОЖЕНИЕ №2. Погрешность базирования заготовок

###

БАЗИРОВАНИЕ:

По наружной цилиндрической поверхности ( в призмах) или по двум плоскостям

По отверстию (детали с центральным посадочным отверстием типа муфт, зубчатых колес и т.п.)

По центровым гнездам (детали типа вал) или по двум отверстиям (рычаг)

Пример определения

Как правило, погрешность базирования eб определяют соответствующими геометрическими расчетами или анализом размерных цепей, что в большинстве случаев обеспечивает более простое решение. Пример определения погрешности базирования на основании геометрического расчета приведен ниже. В общем случае погрешность базирования следует определять исходя из пространственного расположения детали. Однако такой анализ весьма сложен; поэтому для упрощения расчетов ограничиваются плоской схемой, кроме того, учитывают только отклонения размеров заготовок. Если при этом технологическая база совпадает с измерительной, то погрешность базирования eб 0.

Для других случаев (см. эскизы ниже) погрешность базирования определяется по следующим таблицам (выберите на схемах принятую схему базирования и кликните мышкой на рисунке)

### по наружной цилиндрической поверхности (в призмах) или по двум плоскостям

(кликните мышкой на нужном рисунке)

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

###

### по отверстию (детали с центральным посадочным отверстием муфты, зубчатые колеса и т.п.)

(кликните мышкой на нужном рисунке)

11 12 13 14 15 16

###

### по центровым гнездам (детали типа вал) или по двум отверстиям (рычаг)

(кликните мышкой на нужном рисунке)

17 18 19

Пример определения погрешности базирования на основании геометрического расчета

Рассмотрим методику определения погрешности базирования на примере сверления отверстий по кондуктору в торце цилиндрических деталей, устанавливаемых в призме (см. рис.). Заданный размер h определяется выражением :

h = H - 0,5D(1/sina-1), где D - диаметр базы (*)

Воспользовавшись формулой суммирования случайных независимых величин, можно определить погрешность как :

где Ki - коээфициент относительного рассеяния;

Xi - поле рассеяния параметра Xi.

Индексы при частных производных при Xi показывают, что используется значения производных при Xi, равные их математическому ожиданию MXi или среднему значению Xi

Применив это уравнение к выражению (*), получим (при H = const - расстояние до оси кондукторной втулки) формулу для определения погрешности базирования

(h) = 0,5D(1/sina - 1), где D - поле рассеяния диаметра D, примерно равное допуску TD на этот диаметр.

А.Л. Майтаков, Н.Т. Ветрова, Л.Н. Берязева | Методические указания для выполнения курсовой работы
| Copyright © 2020 КемГУ . All rights reserved.